FCVA 방식에서는 고체인 음극의 증발 물질에 의해 플라스마를 형성하기 때문에 방전의 발생 및 유지를 위한 가스(수소)를 도입할 필요가 없습니다. 한편 음극 재료로부터 발생하는 수 미크론 혹은 수십 미크론의 파티클 등이 막에 부착되면 막질이 저하하는 것으로부터 그것들을 배제하기 위해 전자기적 공간 필터가 필요하게 됩니다. 그 특수 필터에 의한 파티클의 경감을 기술적으로 성공시켰던 것이 NTI사의 FCVA 방식입니다.
NTI에서 제공하는 ta-c막을 예로 하자면 Striker(양극, Anode)가 순수 graphite Target(음극, Cathod)에 대해 방전을 실시해 아크를 발생시키고 탄소 플라스마를 만들어 냅니다. 이 때에 수 미크론으로부터 수십 미크론의 파티클?뉴트럴 그리고 원자?분자?하전 입자가 발생합니다만 전자기적 공간 필터에 의해 고 에너지의 이온화 된 탄소만을 골라 냅니다. 이온화 된 탄소를 스캐닝 해 기재상에 한결같은 다이아몬드막을 형성합니다. 기판에 바이어스를 거는 것으로 이온 입자의 에너지 레벨을 가변 할 수가 있습니다.